ВВЕДЕНИЕ
Глобальное потепление, обусловленное в основном сжиганием ископаемого топлива, является
одной из самых важных и актуальных проблем современности []
Большинство используемых в настоящее время методов преобразования энергии не являются
высокоэффективными, в результате чего большая ее часть теряется в виде бросового тепла.
Таким образом, крайне важно найти надежные способы бесперебойной утилизации бросового
тепла. Термоэлектрическая генерация – простое и экологичное решение для прямого преобразования
тепловой энергии в электрическую
Помимо решения экологической проблемы использование термоэлектрической генерации
энергии позволяет осуществлять энергообеспечение маломощных приборов и датчиков в
местах, труднодоступных для прокладки централизованного сетевого электроснабжения
. Также термоэлектрические устройства могут быть широко использованы для локального
охлаждения (или нагрева) с помощью создания электрических твердотельных тепловых насосов.
Термоэлектрические устройства не имеют в своей конструкции движущихся частей, что
делает их непревзойденно надежными, не выделяют в процессе работы парниковых газов
(фреонов, CO2) и могут быть подвержены миниатюризации [].
Термоэлектрическая эффективность материалов определяется термоэлектрической добротностью
ZT, которую можно выразить как ZT = = S2T/kρ, где T – абсолютная температура, S – коэффициент Зеебека, ρ – удельное электрическое сопротивление и k – полная теплопроводность, включающая в себя решеточный и электронный вклады. Для
достижения высоких значений ZT термоэлектрический материал должен одновременно обладать низкой теплопроводностью
и удельным электрическим сопротивлением и высоким значением коэффициента Зеебека.
Эти термоэлектрические свойства тесно связаны между собой, причем обычно улучшение
одних свойств негативно сказывается на других, что существенно ограничивает их одновременную
оптимизацию . Помимо улучшения свойств традиционных термоэлектрических материалов (соединений
на основе Bi2Te3, SiGe и PbTe ) в настоящее время активно ведутся исследования, посвященные разработке новых соединений
со сложной структурой (скуттерудиты, клатраты, полугейслеры и т.д.), которые могут
быть перспективными для ТЭ-применений .
Cложные халькогениды со структурой халькопирита (пр. гр. I2d (№122)) обладают низкой решеточной теплопроводностью [], что способствует достижению высокой ТЭ-эффективности. Для управления электрическими
свойствами халькогенидов применяют легирование в катионной подрешетке . Для получения материалов на основе сложных халькогенидов часто используют метод
твердотельного синтеза из чистых элементов , что, во-первых, требует применения дорогостоящих органических растворителей и вспомогательных
веществ, которые являются экологически небезопасными и требуют специальных мер по
утилизации при внедрении в производство , и, во-вторых, затрудняет получение наноструктурных материалов (известно, что наноструктурирование
является одним из самых эффективных способов повышения термоэлектрической добротности
материалов []).
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Для получения исходного порошка AgInSe2 использовали полиольный метод химического синтеза из растворов. Данный метод основан
на применении солей металлов, растворяемых в многоатомных спиртах, которые относятся
к полиолям (этиленгликоль, глицерин, диэтиленгликоль, полиэтиленгликоль). Для синтеза
брали аналитически чистые химические вещества (AgNO3, In(NO3)3 ⋅ 5H2O, SeO2, этиленгликоль (этан-1,2-диол)) и глицерин (пропантриол-1,2,3). Исходные вещества,
взятые в стехиометрическом соотношении из расчета на 10 г AgInSe2, растворяли в 300 мл этиленгиколя либо глицерина в круглодонной колбе при умеренном
нагревании (80°С) и постоянном перемешивании. После полного растворения прекурсоров
реакционную смесь нагревали до 180°C (для этиленгликоля) либо до 250°С (для глицерина).
При достижении заданной температуры реакционной среды устанавливали обратный холодильник
для конденсации поднимающихся паров. Реакционную систему выдерживали при заданной
температуре в течение 3 ч. После охлаждения реакционной среды до комнатной температуры
полученный порошок отделяли с помощью вакуумного фильтрования с последующим промыванием
полученного порошка горячим этиловым спиртом для удаления побочных продуктов реакции.
Порошок высушивали в инертной атмосфере при 150°С в течение 8 ч. Для получения объемных
материалов из синтезированных порошков использовали метод искрового плазменного спекания
(ИПС) с использованием системы SPS-25 при температуре 700°С, давлении 40 МПа и времени
спекания 30 мин.
Характеристики
Термоэлектрические свойства
Все больше внимания уделяется термоэлектрическим свойствам этих материалов, поскольку ранее изучались только магнитные свойства. Электронная структура слоистых oxychalcogenides (двумерный характер выдвинутый) показывает суперпозицию электронных структур, стабилизированная передачей заряда. Таким образом, материалы p-типа будут иметь свойство электрического транспорта, характеризуемое электронной структурой слоя (верх валентной зоны). Что касается материалов n-типа , природа дна зоны проводимости определяет их свойство электрического транспорта.
Низкая размерность оксихалькогенидов придает им определенную анизотропную зонную структуру. Действительно, в определенных направлениях и плоскостях наблюдается электрическая и теплопроводность. Основное свойство оксихалькогенидов — термоэлектрические характеристики. Последний регулируется их теплопроводностью, которая регулируется изменениями температуры. Эти материалы имеют структуру с чередованием ионного оксидного слоя и ковалентного халькогенида. Последний является источником электронной проводимости. Кроме того, ковалентный характер позволяет полупроводнику иметь высокую подвижность. Что касается ионных взаимодействий, они создают низкую теплопроводность.
У этих материалов очень высокое электрическое сопротивление, которое зависит от температуры. Но это может быть недостатком, поскольку удельное сопротивление может ограничивать термоэлектрические характеристики.
Электрические и магнитные свойства
BiOCuS, BiOCuSe и BiOCuTe — это материалы с непрямой запрещенной зоной со значениями ширины запрещенной зоны 0,66, 0,51 и 0,26 эВ соответственно.
Недавно синтезированные пятикомпонентные оксихалькогениды, такие как Ca 4 Fe 2 Cu 2 Ch 2 O 6, можно охарактеризовать как ионные антиферромагнитные полупроводники , в которых блоки немагнитного халькогенида (Cu 2 Ch 2 ) чередуются с блоками оксида. Антиферромагнетика (Ca 4 Fe 2 О 6 ).
Оптические свойства
При исследовании соединений BiOCuS, BiOCuSe и BiOCuTe межзонные и свободные носители доминируют в оптических константах с металлоподобным поведением для фотонов высоких энергий, что позволяет предположить, что эти материалы являются хорошими кандидатами для оптоэлектронных устройств, экранирующих материалов и детекторов инфракрасного излучения .
Info
- Publication number
- RU2699639C1
RU2699639C1
RU2019105444A
RU2019105444A
RU2699639C1
RU 2699639 C1
RU2699639 C1
RU 2699639C1
RU 2019105444 A
RU2019105444 A
RU 2019105444A
RU 2019105444 A
RU2019105444 A
RU 2019105444A
RU 2699639 C1
RU2699639 C1
RU 2699639C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
nonlinear
liga
monocrystal
value
general formula
Prior art date
2019-02-26
Application number
RU2019105444A
Other languages
English (en)
Inventor
Павел Геннадьевич Криницын
Людмила Ивановна Исаенко
Александр Павлович Елисеев
Максим Сергеевич Молокеев
Алина Александровна Голошумова
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
2019-02-26
Filing date
2019-02-26
Publication date
2019-09-06
2019-02-26Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)
filed
Critical
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)
2019-02-26Priority to RU2019105444A
priority
Critical
patent/RU2699639C1/ru
2019-09-06Application granted
granted
Critical
2019-09-06Publication of RU2699639C1
publication
Critical
patent/RU2699639C1/ru
Links
- Espacenet
- Discuss
-
229910052744
lithium
Inorganic materials0.000
title
claims
abstract
description
20
-
-1
lithium chalcogenides
Chemical class0.000
title
claims
abstract
description
8
-
238000004519
manufacturing process
Methods0.000
title
claims
description
5
-
229910052714
tellurium
Inorganic materials0.000
claims
abstract
description
14
-
229910052733
gallium
Inorganic materials0.000
claims
abstract
description
12
-
229910052738
indium
Inorganic materials0.000
claims
abstract
description
11
-
230000015572
biosynthetic process
Effects0.000
claims
abstract
description
8
-
150000001875
compounds
Chemical class0.000
claims
abstract
description
8
-
238000003786
synthesis reaction
Methods0.000
claims
abstract
description
7
-
230000002194
synthesizing
Effects0.000
claims
abstract
description
7
-
239000003708
ampul
Substances0.000
claims
abstract
description
3
-
238000001816
cooling
Methods0.000
claims
abstract
2
-
239000000155
melt
Substances0.000
claims
description
4
-
239000000203
mixture
Substances0.000
abstract
description
10
-
238000006243
chemical reaction
Methods0.000
abstract
description
8
-
230000000694
effects
Effects0.000
abstract
description
7
-
238000010521
absorption reaction
Methods0.000
abstract
description
5
-
238000000034
method
Methods0.000
abstract
description
5
-
239000000126
substance
Substances0.000
abstract
description
5
-
230000002730
additional
Effects0.000
abstract
description
2
-
230000003993
interaction
Effects0.000
abstract
description
2
-
PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N
tellurium
Chemical compoundPORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N
0.000description
10
-
WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N
lithium
Chemical compoundWHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N
0.000description
9
-
GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
Gallium
Chemical compoundGYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
0.000description
8
-
APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
indium
Chemical compoundAPFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
0.000description
7
-
150000004770
chalcogenides
Chemical class0.000
description
6
-
238000011068
load
Methods0.000
description
5
-
239000000463
material
Substances0.000
description
5
-
230000003287
optical
Effects0.000
description
5
-
238000004476
mid-IR spectroscopy
Methods0.000
description
4
-
239000007858
starting material
Substances0.000
description
4
-
102000003960
Ligases
Human genes0.000
description
3
-
108090000364
Ligases
Proteins0.000
description
3
-
229910002804
graphite
Inorganic materials0.000
description
3
-
239000010439
graphite
Substances0.000
description
3
-
229910052904
quartz
Inorganic materials0.000
description
3
-
239000010453
quartz
Substances0.000
description
3
-
VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N
silicon dioxide
Inorganic materialsO==O
VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N
0.000description
3
-
BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N
silver
Chemical compoundBQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N
0.000description
3
-
229910052709
silver
Inorganic materials0.000
description
3
-
239000004332
silver
Substances0.000
description
3
-
239000006104
solid solution
Substances0.000
description
3
-
150000004772
tellurides
Chemical class0.000
description
3
-
238000005303
weighing
Methods0.000
description
3
-
210000004027
cells
Anatomy0.000
description
2
-
239000004065
semiconductor
Substances0.000
description
2
-
210000004544
DC2
Anatomy0.000
description
1
-
230000005540
biological transmission
Effects0.000
description
1
-
238000010276
construction
Methods0.000
description
1
-
239000006185
dispersion
Substances0.000
description
1
-
230000005274
electronic transitions
Effects0.000
description
1
-
238000005516
engineering process
Methods0.000
description
1
-
238000005755
formation reaction
Methods0.000
description
1
-
230000004927
fusion
Effects0.000
description
1
-
150000002471
indium
Chemical class0.000
description
1
-
239000011261
inert gas
Substances0.000
description
1
-
150000002500
ions
Chemical class0.000
description
1
-
230000002530
ischemic preconditioning
Effects0.000
description
1
-
238000002844
melting
Methods0.000
description
1
-
QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N
mercury
Chemical compoundQSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N
0.000description
1
-
229910052753
mercury
Inorganic materials0.000
description
1
-
150000004771
selenides
Chemical class0.000
description
1
-
239000007787
solid
Substances0.000
description
1
-
230000003595
spectral
Effects0.000
description
1
-
238000006467
substitution reaction
Methods0.000
description
1
-
150000004763
sulfides
Chemical class0.000
description
1
-
XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N
telluride(2-)
Chemical compoundXSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N
0.000description
1
-
238000000411
transmission spectrum
Methods0.000
description
1
Синтез
Оксихалькогениды обычно синтезируются твердотельными реакциями в вентилируемых кварцевых стеклянных трубках для предотвращения испарения халькогенных элементов. Оксихалькогениды La 5 Cu 6 O 4 S 7 получают путем загрузки La 2 S 3 из Cu и KI в трубку из плавленого кварца в атмосфере аргона в перчаточном боксе . Эту трубку герметично закрывают в атмосфере 10 -4 Торр и затем помещают в печь с компьютерным управлением. Образец нагревают до 1173 К / мин при 1 К / мин , выдерживают при 1173 К в течение 4 дней и охлаждают до 0,05 К / мин при 573 К ; затем духовку выключают. Реакционную смесь без йодистых солей промывают водой, а затем сушат ацетоном .
Для La 2 O 3 Mn 2 Se 2 высушенные порошки La 2 O 3 и Brilliant Mn и Se тщательно перемешивали и прессовали в гранулы внутри перчаточного ящика, заполненного Ar. Затем гранулы запаивают в кварцевой трубке в атмосфере аргона. Их медленно нагревают до 650 ° C в течение 12 часов, затем нагревают до 1050 ° C в течение 6 дней с двумя промежуточными измельчениями в ящике. Затем кварцевую трубку охлаждают на воздухе.
Термоэлектрические материалы на основе BiCuSeO можно синтезировать путем механического легирования , в результате чего получаются однофазные нанокристаллические порошки. Этот новый путь синтеза позволяет синтезировать как нелегированные материалы с концентрациями носителей того же порядка, что и наблюдаемые для образцов, приготовленных в соответствии с обычным способом синтеза, так и материалы с сильным содержанием p-примесей . Следует отметить, что свойства электрического транспорта не ухудшаются по сравнению с обычным синтетическим путем. Основными характеристиками этого нового пути синтеза являются то, что все стадии можно проводить на воздухе при комнатной температуре, и что он позволяет синтезировать большие количества порошка за несколько часов. По сравнению с обычными стадиями синтеза, которые требуют длительного отжига при высокой температуре в атмосфере аргона в герметичных трубках из диоксида кремния, эти преимущества открывают путь к промышленному применению термоэлектрических оксихалькогенидов.
Недавние открытия оксиарсенидов железа и их сверхпроводимости подчеркнули важность смешанных анионных систем. Смешанные оксихалькогениды меди возникли при учете электронных свойств халькогенидов и оксидов
Химики начали заниматься синтезом соединения с металлическими свойствами и свойствами волны зарядовой плотности, а также с высокотемпературной сверхпроводимостью. Синтезируя оксиселенид меди Na 1,9 Cu 2 Se 2 Cu 2 O путем взаимодействия Na 2 Se 3,6 с Cu 2 O, они пришли к выводу, что новый тип оксихалькогенидов может быть синтезирован путем взаимодействия оксидов металлов с потоками полихалькогенидов.
Импульсные и стационарные методы ЯКР и ЯМР
Существует два способа регистрации ЯКР и ЯМР: непрерывный (стационарный, исторически первый) и импульсный, получивший наибольшее распространение начиная с 1970-х годов. В первом случае ядерная система подвергается непрерывному облучению слабым радиочастотным полем. Во втором действует сильный радиочастотный импульс, приводящий ядерную систему в неравновесное состояние, и наблюдается процесс перехода ядерных магнитных моментов в равновесное состояние. Оба метода эквивалентны, поскольку существует связь между формой производной спектральной линии и спадом свободной индукции -экспериментальными параметрами стационарной и импульсной методик . Однако ряд технических преимуществ все же стимулировал развитие импульсных методов . Все исследования методом ЯКР и ЯМР, изложенные в данной работе, были выполнены с применением импульсной методики. Измерения производились с помощью двух спектрометров: высокочастотного (частотный диапазон от 4 МГц до 100 МГц) и низкочастотного (частотный диапазон от 1.5 МГц до 10 МГц). Каждый из спектрометров представляет собой широкодиапазонный когерентный импульсный спектрометр-релаксометр с квадратурным детектированием, сопряженный и управляемый с ЭВМ типа IBM PC/AT, и предназначен для поиска сигналов ЯКР, проведения исследований спектров ЯКР/ЯМР, а также ядерной релаксации в твердых телах. Оба спектрометра реализованы согласно стандартной и широко распространенной блок-схеме, которая представлена на рис. 1.1. Основные характеристики узлов спектрометров указаны в табл. 1.2. Кратко опишем принцип работы спектрометров. На вход формирователя РЧ-импульсов поступают видеоимпульсы с генератора импульсных последовательностей и непрерывные колебания с выхода радиочастотного (РЧ) генератора.
Полученные РЧ-импульсы усиливаются и подаются на датчик ЯКР/ЯМР, создавая в образце высокочастотное магнитное поле. При выполнении резонансных условий это приводит к появлению спиновой намагниченности, которая наводит ЭДС в находящейся в датчике катушке с образцом. После окончания РЧ-импульса и «мертвого» времени предусилителя передатчика сигнал поступает в приемник. В приемнике сигнал усиливается и поступает на вход двух синхронных детекторов, опорные напряжения которых находятся в квадратуре. В свою очередь, опорные напряжения формируются в квадратурном фазовращателе из выходного сигнала РЧ генератора. Затем продетектированный сигнал усиливается по низкой частоте и подается на аналого-цифровой преобразователь (АЦП). Оцифровка сигнала синхронизирована с генератором импульсных последовательностей. В спектрометрах условно выделяются аналоговая и цифровая части. В последнюю часть входят программируемый генератор видеоимпульсов и блок АЦП, конструктивно выполненные в виде отдельных плат и соединенные с системной шиной компьютера IBM PC. Поскольку РЧ генератор и переменный конденсатор колебательного контура датчика ЯКР/ЯМР управляются независимо от компьютера IBM PC, поиск сигналов и измерения спектров производится в «ручном» режиме. Параметры ядерной релаксации исследовались в автоматическом режиме. Высокочастотный спектрометр разработан и изготовлен в лаборатории магнитной радиоспектроскопии (МРС) Казанского государственного университета А.В. Егоровым, О.Н. Бахаревым, А.В. Дуглавом. Детальное описание узлов спектрометра и их функционирование содержатся в —оригинальных работах .
Низкочастотный спектрометр собран на базе высокочастотного А.В. Дуглавым и И.Р. Мухамедшиным в лаборатории МРС. В данном спектрометре по сравнению с высокочастотным аналогом отличными являются конструкции датчика и предусилителя приемника. Оригинальное программное обеспечение, с помощью которого производится управление и контроль работы узлов обоих спектрометров, реализовано в программной среде Basic О.Н. Бахаревым. С точки зрения получения как можно более разнообразной информации о строении и свойствах исследуемых соединений важными представляются не столько сами параметры ЯКР/ЯМР, сколько их температурные зависимости. С этой целью для измерений спектров ЯКР и ядерной релаксации были применены две низкотемпературные вставки, сконструированные А.В. Дуглавом и И.Р. Мухамедшиным. Обе вставки изготовлены по одной схеме и оборудованы идентичными системами измерения и регулирования температуры.
Халькогениды высших дигидрогенов
Все халькогениды водорода с прямой цепью подчиняются формуле H 2 X n.
Более высокие полиоксиды водорода, чем H 2 O 2 не являются стабильными. Триоксидан с тремя атомами кислорода является временным нестабильным промежуточным продуктом в нескольких реакциях. Следующие два в серии кислорода, водорода осмия и водорода пятиокиси, также были синтезированы и признаны высокой реакционной способностью. Альтернативный структурный изомер триоксидана, в котором два атома водорода присоединены к центральному кислороду трехкислородной цепи, а не по одному на каждом конце, был исследован с помощью вычислений.
Помимо H 2 S и H 2 S 2, многие высшие полисульфаны H 2 S n ( n = 3–8) известны как стабильные соединения. Они имеют неразветвленные цепочки серы, что отражает склонность серы к образованию цепей. Начиная с H 2 S 2, все известные полисульфаны являются жидкостями при комнатной температуре. H 2 S 2 бесцветен, а остальные полисульфаны желтые; цвет становится богаче с увеличением n, как и плотность, вязкость и температура кипения. Таблица физических свойств приведена ниже.
Сложный | Плотность при 20 ° C (г • см –3) | Давление пара (мм рт. Ст.) | Экстраполированная точка кипения (° C) |
---|---|---|---|
H 2 S | 1,363 (г • дм −3) | 1740 (кПа, 21 ° C) | -60 |
H 2 S 2 | 1,334 | 87,7 | 70 |
H 2 S 3 | 1,491 | 1.4 | 170 |
H 2 S 4 | 1,582 | 0,035 | 240 |
H 2 S 5 | 1,644 | 0,0012 | 285 |
H 2 S 6 | 1,688 | ? | ? |
H 2 S 7 | 1,721 | ? | ? |
H 2 S 8 | 1,747 | ? | ? |
Однако они легко окисляются, и все они термически нестабильны, легко диспропорционируют до серы и сероводорода, реакции, в которой щелочь действует как катализатор:
- H 2 S n → H 2 S + п — 1/8С 8
Они также реагируют с сульфитом и цианидом с образованием тиосульфата и тиоцианата соответственно.
Альтернативный структурный изомер трисульфида, в котором два атома водорода присоединены к центральной сере цепи из трех серов, а не по одному на каждом конце, был исследован с помощью вычислений. Тиосерная кислота, разветвленный изомер тетрасульфида, в котором четвертая сера связана с центральной серой линейной трисульфидной структуры дигидрогена ((HS) 2 S + –S -), также была исследована с помощью вычислений. Тиосерная кислота, в которой два атома серы ответвляются от центра линейной структуры трисульфида дигидрата, также была изучена с помощью вычислений.
Могут существовать высшие гидриды полония.
Рекомендации
- ^ Greenwood, N. N .; И Эрншоу, А. (1997). Химия элементов (2-е изд.), Оксфорд: Баттерворт-Хайнеманн. ISBN 0-7506-3365-4.
- ^ Vaughan, D. J .; Крейг, Дж. Р. «Минеральная химия сульфидов металлов» Cambridge University Press, Кембридж: 1978. ISBN 0521214890.
- Franzen, H.F .; Beineke, T.A .; Конрад, Б. (1968). «Кристаллическая структура Nb21S8«. Acta Crystallographica B. 24: 412-p416.
- «Сульфидная минералогия: Том 1» Пол Х. Риббе, редактор, 1974, Минералогическое общество Америки. ISBN 0-939950-01-4
- Уэллс, А.Ф. (1984) Структурная неорганическая химия, Оксфорд: Clarendon Press. ISBN 0-19-855370-6.
Примечания и ссылки
- Фонзес-Диакон, Х. (1990) Синтезированный селенид и оксиселенид марганца , отчеты, представленные на еженедельных сессиях Академии наук , 130, 1025, 1025-6.
- Ефрем Ф. и Э. Майлер (1910), Селенофосфаты , Berichte der Deutschen Chemischen Gesellschaft , 43, 277–285.
- ↑ and Сон Д. Н. Луу и Пас Вакейро, Слоистые оксихалькогениды: структурная химия и термоэлектрические свойства , Journal of Materiomics , vol. 2 п о 2, стр. 131-140 ,июнь 2016.
- К. Баррето, Термоэлектрические керамические материалы для производства чистой электроэнергии , Другое, Парижский университет , 2013.
- Фу Цян Хуанг, Пол Бразис, Карл Р. Канневурф и Джеймс А. Иберс, Синтез, структура, электропроводность и зонная структура оксихалькогенида редкоземельной меди La 5 Cu 6 O 4 S 7 , Журнал химии твердого тела , 155, 366-371 (2000).
- L. Xie и HG Zhang, Магнитные свойства и эффект обменного смещения слоистых оксихалькогенидов марганца La 2 O 3 Mn 2 Se 2 , J. Appl. Phys. , 113, 204506 (2013).
- В. Пеле, К. Баррето, Д. Берардан и др. , Прямой синтез оксихалькогенидов типа BiCuChO методом механического легирования , Журнал химии твердого тела , 2013, т. 203, стр. 187-191 .
- ↑ и A KMF Ul Islam, MA Helal, MNH Liton, M Kamruzzaman и HMT Islam, Изучение первых принципов зависимых от электронной структуры оптических свойств оксихалькогенидов BiOCuCh (Ch 5 S, Se, Te) , J. Phys. , 2016.
- Суетин Д.В. и А.Л. Ивановский, Электронные, магнитные свойства и химическая связь в слоистых оксихалькогенидах Ca 4 Fe 2 Cu 2 S 2 O 6 и Ca 4 Fe 2 Cu 2 Se 2 O 6 из расчетов из первых принципов , Журнал химии твердого тела , 194100 –105 (2012).
- В. Хан, С. Азам, М. Бенали Канун и С. Гумри-Саид, Оптоэлектронная структура и связанные с ней транспортные свойства оксихалькогенидов на основе BiCuSeO: Первые основные расчеты , т. 58, август 2016, стр. 86-93 .
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Isaenko et al. |
2002 |
LiInSe 2: A biaxial ternary chalcogenide crystal for nonlinear optical applications in the midinfrared |
Isaenko et al. |
2006 |
Ternary chalcogenides LiBC2 (B= In, Ga; C= S, Se, Te) for mid-IR nonlinear optics |
Furukawa et al. |
2000 |
The correlation of MgO-doped near-stoichiometric LiNbO3 composition to the defect structure |
Kumar et al. |
2013 |
Recent advances in rare earth-based borate single crystals: Potential materials for nonlinear optical and laser applications |
Shevchuk et al. |
2011 |
Single crystal preparation and properties of the AgGaGeS4–AgGaGe3Se8 solid solution |
Guo et al. |
2014 |
Growth and characterizations of BaGa4S7 crystal |
Wang et al. |
2014 |
Modified Bridgman growth and properties of mid-infrared LiInSe2 crystal |
Avanesov et al. |
2014 |
Phase equilibrium studies in the PbTe–Ga2Te3 and PbTe–In2Te3 systems for growing new nonlinear optical crystals of PbGa6Te10 and PbIn6Te10 with transparency extending into the far-IR |
Cheng et al. |
2013 |
Synthesis and growth of ZnGeP2 crystals: Prevention of non-stoichiometry |
Schunemann |
2007 |
Crystal growth and properties of nonlinear optical materials |
Yelisseyev et al. |
2020 |
The optical properties of the nonlinear crystal BaGa4Se7 |
RU2699639C1 |
2019-09-06 | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения |
RU2344208C1 |
2009-01-20 | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов |
Ünlü et al. |
2022 |
Defect assisted nonlinear absorption and optical limiting in amorphous TlGaS2 (1-x) Se2 (x)(0⩽ x⩽ 1) thin films |
Wang et al. |
2012 |
Growth, characterization and the fourth harmonic generation at 266 nm of K2Al2B2O7 crystals without UV absorptions and Na impurity |
US20180202069A1 |
2018-07-19 | Lead oxychloride, infrared nonlinear optical crystal, and preparation method thereof |
Roth et al. |
2010 |
Growth of large size high optical quality KTP-type crystals |
Badikov et al. |
2005 |
Optical parametric oscillator on an Hg1-xCdxGa2S4 crystal |
JP3479111B2 |
2003-12-15 | 電気光学品 |
RU2763463C1 |
2021-12-29 | Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения |
Wu et al. |
2014 |
Crystal growth and frequency conversion of BaMgF4 single crystal by temperature gradient technique |
Singh et al. |
2005 |
Periodically poled materials for long wavelength infrared (LWIR) NLO applications |
Guo et al. |
2018 |
Li7Cd4. 5Ge4Se16 and Li6. 4Cd4. 8Sn4Se16: Strong Nonlinear Optical Response in Quaternary Diamond‐Like Selenide Networks |
Myronchuk et al. |
2017 |
Optical absorption, piezoelectric effect and second harmonic generation studies of single crystal AgGaGe 3 Se 7.6 Te 0.4 solid solution |
RU2255151C2 |
2005-06-27 | Тройной халькогенидный монокристалл для преобразования лазерного излучения и способ его выращивания |
ВЫВОДЫ
Впервые экспериментально обнаружены и исследованы спектры ЯКР 63, Cu в природных образцах халькогенидов группы теннантита Cu124S ( Q = 21.81 МГц при Т = 77 К). Установлено, что спектры принадлежат ядрам меди, локализованным в тригональных комплексах лавесовских полиэдров Cu6S13 структуры. Проведены подробные исследования температурных зависимостей частоты ЯКР и ширины линии ЯКР меди, скоростей ядерной спин-решеточной релаксации меди и ядерной поперечной релаксации в диапазоне температур 4.2-210 К. Температурный ход частоты ЯКР и ширины линии четко демонстрируют фазовый переход при TPT = 65 К.
Релаксационные параметры свидетельствуют о существовании в электронной структуре флуктуирующих полей, обусловленных внутренними движениями с энергией активации EACT = 65 K. Предложена модель, согласно которой флуктуации обусловлены неоднородным распределением электронной плотности в кластерах Cu6S13. Основный аспект при этом рассмотрении заключается в том, что при высоких температурах (Т > 65 К) электронные дырки, определяющие парамагнетизм двухвалентной меди, относительно равномерно распределены в пределах кластера и мигрируют по всем шести эквивалентным позициям меди. При понижении температуры (Т
По материалам данной главы опубликованы работы .
Халькогениды со структурой ковеллина:
Экспериментально обнаружены и исследованы спектры ЯКР 63,65Cu в природном и искусственном образцах бинарного халькогенида CuS (ковеллина), при этом низкочастотные сигналы ЯКР были найдены впервые (63Q = 1.87 МГц при Т = 4.2 К). Достоверно установлено, что высокочастотные спектры принадлежат ядрам меди, локализованной в тригональных комплексах Cu(1)S3, а низкочастотные спектры соответствуют меди, расположенной в тетраэдрических комплексах Cu(2)S4. Наблюдение сигналов ЯКР 63,65Cu(2) при T
Впервые изучены температурные зависимости ширины линии ЯКР меди Cu(1) в диапазоне 1.5-300 К и ядерной спин-решеточной релаксации меди Cu(2) в диапазоне 4.2-30 К. Температурный ход частоты ЯКР, ширины линии и спинрешеточной релаксации меди Cu(1) демонстрируют существование структурного фазового перехода при TPT = 55 К. Исходя из данных по спинрешеточной релаксации и магнитному сдвигу обоих ядер Cu(1) и Cu(2), показано, что ковеллин CuS не может рассматриваться как металл в «простом»
приближении, при котором волновая функция, описывающая состояние системы, имеет ярко выраженный s-характер; его зонная структура сложна и характеризуется наличием как минимум двух зон s- и d-типа.
Экспериментально установлено, что при температурах T
По материалам данной главы опубликованы статьи .
Ультрадисперсные частицы биоминералов бинарных халькогенидов:
Методом ЯКР впервые исследованы образцы фоссилизированной древесины, содержащие ультрадисперсные частицы некоторых бинарных халькогенидов меди системы Cu1+xS (0x1).
Экспериментально подтверждено наличие в изученных образцах стехиометрического сульфида Cu1.00S (ковеллина). Выявлено значительное уширение линий спектра ЯКР данного соединения по сравнению с ширинами линий ЯКР эталонных образцов. Для объяснения этого эффекта предложена модель, согласно которой подобное уширение обусловлено размерами частиц ковеллина, т.е. является характерным признаком дисперсного состояния данного сульфида.
Экспериментальное обнаружение ковеллина Cu1.00S в образцах фоссилизированной древесины из месторождений Волго-Уральского региона подтверждает теоретическую модель о микробактериальном механизме сульфидной минерализации. Согласно этой теории бактериальная сульфатредукция в органических остатках первоначально приводила к образованию множества ультрадисперсных (в том числе, наноразмерных) частиц