Журнал физической химии, 2020, t. 94, № 12, стр. 1767-1775

Истина

ВВЕДЕНИЕ

Глобальное потепление, обусловленное в основном сжиганием ископаемого топлива, является
одной из самых важных и актуальных проблем современности []

Большинство используемых в настоящее время методов преобразования энергии не являются
высокоэффективными, в результате чего большая ее часть теряется в виде бросового тепла.
Таким образом, крайне важно найти надежные способы бесперебойной утилизации бросового
тепла. Термоэлектрическая генерация – простое и экологичное решение для прямого преобразования
тепловой энергии в электрическую

Помимо решения экологической проблемы использование термоэлектрической генерации
энергии позволяет осуществлять энергообеспечение маломощных приборов и датчиков в
местах, труднодоступных для прокладки централизованного сетевого электроснабжения
. Также термоэлектрические устройства могут быть широко использованы для локального
охлаждения (или нагрева) с помощью создания электрических твердотельных тепловых насосов.
Термоэлектрические устройства не имеют в своей конструкции движущихся частей, что
делает их непревзойденно надежными, не выделяют в процессе работы парниковых газов
(фреонов, CO2) и могут быть подвержены миниатюризации [].

Термоэлектрическая эффективность материалов определяется термоэлектрической добротностью
ZT, которую можно выразить как ZT = = S2T/kρ, где T – абсолютная температура, S – коэффициент Зеебека, ρ – удельное электрическое сопротивление и k – полная теплопроводность, включающая в себя решеточный и электронный вклады. Для
достижения высоких значений ZT термоэлектрический материал должен одновременно обладать низкой теплопроводностью
и удельным электрическим сопротивлением и высоким значением коэффициента Зеебека.
Эти термоэлектрические свойства тесно связаны между собой, причем обычно улучшение
одних свойств негативно сказывается на других, что существенно ограничивает их одновременную
оптимизацию . Помимо улучшения свойств традиционных термоэлектрических материалов (соединений
на основе Bi2Te3, SiGe и PbTe ) в настоящее время активно ведутся исследования, посвященные разработке новых соединений
со сложной структурой (скуттерудиты, клатраты, полугейслеры и т.д.), которые могут
быть перспективными для ТЭ-применений .

Cложные халькогениды со структурой халькопирита (пр. гр. I2d (№122)) обладают низкой решеточной теплопроводностью [], что способствует достижению высокой ТЭ-эффективности. Для управления электрическими
свойствами халькогенидов применяют легирование в катионной подрешетке . Для получения материалов на основе сложных халькогенидов часто используют метод
твердотельного синтеза из чистых элементов , что, во-первых, требует применения дорогостоящих органических растворителей и вспомогательных
веществ, которые являются экологически небезопасными и требуют специальных мер по
утилизации при внедрении в производство , и, во-вторых, затрудняет получение наноструктурных материалов (известно, что наноструктурирование
является одним из самых эффективных способов повышения термоэлектрической добротности
материалов []).

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Для получения исходного порошка AgInSe2 использовали полиольный метод химического синтеза из растворов. Данный метод основан
на применении солей металлов, растворяемых в многоатомных спиртах, которые относятся
к полиолям (этиленгликоль, глицерин, диэтиленгликоль, полиэтиленгликоль). Для синтеза
брали аналитически чистые химические вещества (AgNO3, In(NO3)3 ⋅ 5H2O, SeO2, этиленгликоль (этан-1,2-диол)) и глицерин (пропантриол-1,2,3). Исходные вещества,
взятые в стехиометрическом соотношении из расчета на 10 г AgInSe2, растворяли в 300 мл этиленгиколя либо глицерина в круглодонной колбе при умеренном
нагревании (80°С) и постоянном перемешивании. После полного растворения прекурсоров
реакционную смесь нагревали до 180°C (для этиленгликоля) либо до 250°С (для глицерина).
При достижении заданной температуры реакционной среды устанавливали обратный холодильник
для конденсации поднимающихся паров. Реакционную систему выдерживали при заданной
температуре в течение 3 ч. После охлаждения реакционной среды до комнатной температуры
полученный порошок отделяли с помощью вакуумного фильтрования с последующим промыванием
полученного порошка горячим этиловым спиртом для удаления побочных продуктов реакции.
Порошок высушивали в инертной атмосфере при 150°С в течение 8 ч. Для получения объемных
материалов из синтезированных порошков использовали метод искрового плазменного спекания
(ИПС) с использованием системы SPS-25 при температуре 700°С, давлении 40 МПа и времени
спекания 30 мин.

Характеристики

Термоэлектрические свойства

Все больше внимания уделяется термоэлектрическим свойствам этих материалов, поскольку ранее изучались только магнитные свойства. Электронная структура слоистых oxychalcogenides (двумерный характер выдвинутый) показывает суперпозицию электронных структур, стабилизированная передачей заряда. Таким образом, материалы p-типа будут иметь свойство электрического транспорта, характеризуемое электронной структурой слоя (верх валентной зоны). Что касается материалов n-типа , природа дна зоны проводимости определяет их свойство электрического транспорта.

Низкая размерность оксихалькогенидов придает им определенную анизотропную зонную структуру. Действительно, в определенных направлениях и плоскостях наблюдается электрическая и теплопроводность. Основное свойство оксихалькогенидов — термоэлектрические характеристики. Последний регулируется их теплопроводностью, которая регулируется изменениями температуры. Эти материалы имеют структуру с чередованием ионного оксидного слоя и ковалентного халькогенида. Последний является источником электронной проводимости. Кроме того, ковалентный характер позволяет полупроводнику иметь высокую подвижность. Что касается ионных взаимодействий, они создают низкую теплопроводность.

У этих материалов очень высокое электрическое сопротивление, которое зависит от температуры. Но это может быть недостатком, поскольку удельное сопротивление может ограничивать термоэлектрические характеристики.

Электрические и магнитные свойства

BiOCuS, BiOCuSe и BiOCuTe — это материалы с непрямой запрещенной зоной со значениями ширины запрещенной зоны 0,66, 0,51 и 0,26  эВ соответственно.

Недавно синтезированные пятикомпонентные оксихалькогениды, такие как Ca 4 Fe 2 Cu 2 Ch 2 O 6, можно охарактеризовать как ионные антиферромагнитные полупроводники , в которых блоки немагнитного халькогенида (Cu 2 Ch 2 ) чередуются с блоками оксида. Антиферромагнетика (Ca 4 Fe 2 О 6 ).

Оптические свойства

При исследовании соединений BiOCuS, BiOCuSe и BiOCuTe межзонные и свободные носители доминируют в оптических константах с металлоподобным поведением для фотонов высоких энергий, что позволяет предположить, что эти материалы являются хорошими кандидатами для оптоэлектронных устройств, экранирующих материалов и детекторов инфракрасного излучения .

Info

Publication number
RU2699639C1

RU2699639C1

RU2019105444A

RU2019105444A

RU2699639C1

RU 2699639 C1

RU2699639 C1

RU 2699639C1

RU 2019105444 A

RU2019105444 A

RU 2019105444A

RU 2019105444 A

RU2019105444 A

RU 2019105444A

RU 2699639 C1

RU2699639 C1

RU 2699639C1

Authority
RU
Russia

Prior art keywords

nonlinear
liga
monocrystal
value
general formula

Prior art date
2019-02-26

Application number
RU2019105444A
Other languages

English (en)

Inventor
Павел Геннадьевич Криницын
Людмила Ивановна Исаенко
Александр Павлович Елисеев
Максим Сергеевич Молокеев
Алина Александровна Голошумова
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
2019-02-26
Filing date
2019-02-26
Publication date
2019-09-06

2019-02-26Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)
filed

Critical

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН)

2019-02-26Priority to RU2019105444A
priority

Critical

patent/RU2699639C1/ru

2019-09-06Application granted
granted

Critical

2019-09-06Publication of RU2699639C1
publication

Critical

patent/RU2699639C1/ru

Links

  • Espacenet
  • Discuss
  • 229910052744
    lithium
    Inorganic materials

    0.000

    title

    claims

    abstract

    description

    20

  • -1
    lithium chalcogenides
    Chemical class

    0.000

    title

    claims

    abstract

    description

    8

  • 238000004519
    manufacturing process
    Methods

    0.000

    title

    claims

    description

    5

  • 229910052714
    tellurium
    Inorganic materials

    0.000

    claims

    abstract

    description

    14

  • 229910052733
    gallium
    Inorganic materials

    0.000

    claims

    abstract

    description

    12

  • 229910052738
    indium
    Inorganic materials

    0.000

    claims

    abstract

    description

    11

  • 230000015572
    biosynthetic process
    Effects

    0.000

    claims

    abstract

    description

    8

  • 150000001875
    compounds
    Chemical class

    0.000

    claims

    abstract

    description

    8

  • 238000003786
    synthesis reaction
    Methods

    0.000

    claims

    abstract

    description

    7

  • 230000002194
    synthesizing
    Effects

    0.000

    claims

    abstract

    description

    7

  • 239000003708
    ampul
    Substances

    0.000

    claims

    abstract

    description

    3

  • 238000001816
    cooling
    Methods

    0.000

    claims

    abstract

    2

  • 239000000155
    melt
    Substances

    0.000

    claims

    description

    4

  • 239000000203
    mixture
    Substances

    0.000

    abstract

    description

    10

  • 238000006243
    chemical reaction
    Methods

    0.000

    abstract

    description

    8

  • 230000000694
    effects
    Effects

    0.000

    abstract

    description

    7

  • 238000010521
    absorption reaction
    Methods

    0.000

    abstract

    description

    5

  • 238000000034
    method
    Methods

    0.000

    abstract

    description

    5

  • 239000000126
    substance
    Substances

    0.000

    abstract

    description

    5

  • 230000002730
    additional
    Effects

    0.000

    abstract

    description

    2

  • 230000003993
    interaction
    Effects

    0.000

    abstract

    description

    2

  • PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N
    tellurium
    Chemical compound

    PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N
    0.000

    description

    10

  • WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N
    lithium
    Chemical compound

    WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N
    0.000

    description

    9

  • GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
    Gallium
    Chemical compound

    GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N
    0.000

    description

    8

  • APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
    indium
    Chemical compound

    APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N
    0.000

    description

    7

  • 150000004770
    chalcogenides
    Chemical class

    0.000

    description

    6

  • 238000011068
    load
    Methods

    0.000

    description

    5

  • 239000000463
    material
    Substances

    0.000

    description

    5

  • 230000003287
    optical
    Effects

    0.000

    description

    5

  • 238000004476
    mid-IR spectroscopy
    Methods

    0.000

    description

    4

  • 239000007858
    starting material
    Substances

    0.000

    description

    4

  • 102000003960
    Ligases
    Human genes

    0.000

    description

    3

  • 108090000364
    Ligases
    Proteins

    0.000

    description

    3

  • 229910002804
    graphite
    Inorganic materials

    0.000

    description

    3

  • 239000010439
    graphite
    Substances

    0.000

    description

    3

  • 229910052904
    quartz
    Inorganic materials

    0.000

    description

    3

  • 239000010453
    quartz
    Substances

    0.000

    description

    3

  • VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N
    silicon dioxide
    Inorganic materials

    O==O
    VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N
    0.000

    description

    3

  • BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N
    silver
    Chemical compound

    BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N
    0.000

    description

    3

  • 229910052709
    silver
    Inorganic materials

    0.000

    description

    3

  • 239000004332
    silver
    Substances

    0.000

    description

    3

  • 239000006104
    solid solution
    Substances

    0.000

    description

    3

  • 150000004772
    tellurides
    Chemical class

    0.000

    description

    3

  • 238000005303
    weighing
    Methods

    0.000

    description

    3

  • 210000004027
    cells
    Anatomy

    0.000

    description

    2

  • 239000004065
    semiconductor
    Substances

    0.000

    description

    2

  • 210000004544
    DC2
    Anatomy

    0.000

    description

    1

  • 230000005540
    biological transmission
    Effects

    0.000

    description

    1

  • 238000010276
    construction
    Methods

    0.000

    description

    1

  • 239000006185
    dispersion
    Substances

    0.000

    description

    1

  • 230000005274
    electronic transitions
    Effects

    0.000

    description

    1

  • 238000005516
    engineering process
    Methods

    0.000

    description

    1

  • 238000005755
    formation reaction
    Methods

    0.000

    description

    1

  • 230000004927
    fusion
    Effects

    0.000

    description

    1

  • 150000002471
    indium
    Chemical class

    0.000

    description

    1

  • 239000011261
    inert gas
    Substances

    0.000

    description

    1

  • 150000002500
    ions
    Chemical class

    0.000

    description

    1

  • 230000002530
    ischemic preconditioning
    Effects

    0.000

    description

    1

  • 238000002844
    melting
    Methods

    0.000

    description

    1

  • QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N
    mercury
    Chemical compound

    QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N
    0.000

    description

    1

  • 229910052753
    mercury
    Inorganic materials

    0.000

    description

    1

  • 150000004771
    selenides
    Chemical class

    0.000

    description

    1

  • 239000007787
    solid
    Substances

    0.000

    description

    1

  • 230000003595
    spectral
    Effects

    0.000

    description

    1

  • 238000006467
    substitution reaction
    Methods

    0.000

    description

    1

  • 150000004763
    sulfides
    Chemical class

    0.000

    description

    1

  • XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N
    telluride(2-)
    Chemical compound

    XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N
    0.000

    description

    1

  • 238000000411
    transmission spectrum
    Methods

    0.000

    description

    1

Синтез

Оксихалькогениды обычно синтезируются твердотельными реакциями в вентилируемых кварцевых стеклянных трубках для предотвращения испарения халькогенных элементов. Оксихалькогениды La 5 Cu 6 O 4 S 7 получают путем загрузки La 2 S 3 из Cu и KI в трубку из плавленого кварца в атмосфере аргона в перчаточном боксе . Эту трубку герметично закрывают в атмосфере 10 -4  Торр и затем помещают в печь с компьютерным управлением. Образец нагревают до 1173  К / мин при 1  К / мин , выдерживают при 1173  К в течение 4 дней и охлаждают до 0,05  К / мин при 573  К  ; затем духовку выключают. Реакционную смесь без йодистых солей промывают водой, а затем сушат ацетоном .

Для La 2 O 3 Mn 2 Se 2 высушенные порошки La 2 O 3 и Brilliant Mn и Se тщательно перемешивали и прессовали в гранулы внутри перчаточного ящика, заполненного Ar. Затем гранулы запаивают в кварцевой трубке в атмосфере аргона. Их медленно нагревают до 650  ° C в течение 12 часов, затем нагревают до 1050  ° C в течение 6 дней с двумя промежуточными измельчениями в ящике. Затем кварцевую трубку охлаждают на воздухе.

Термоэлектрические материалы на основе BiCuSeO можно синтезировать путем механического легирования , в результате чего получаются однофазные нанокристаллические порошки. Этот новый путь синтеза позволяет синтезировать как нелегированные материалы с концентрациями носителей того же порядка, что и наблюдаемые для образцов, приготовленных в соответствии с обычным способом синтеза, так и материалы с сильным содержанием p-примесей . Следует отметить, что свойства электрического транспорта не ухудшаются по сравнению с обычным синтетическим путем. Основными характеристиками этого нового пути синтеза являются то, что все стадии можно проводить на воздухе при комнатной температуре, и что он позволяет синтезировать большие количества порошка за несколько часов. По сравнению с обычными стадиями синтеза, которые требуют длительного отжига при высокой температуре в атмосфере аргона в герметичных трубках из диоксида кремния, эти преимущества открывают путь к промышленному применению термоэлектрических оксихалькогенидов.

Недавние открытия оксиарсенидов железа и их сверхпроводимости подчеркнули важность смешанных анионных систем. Смешанные оксихалькогениды меди возникли при учете электронных свойств халькогенидов и оксидов

Химики начали заниматься синтезом соединения с металлическими свойствами и свойствами волны зарядовой плотности, а также с высокотемпературной сверхпроводимостью. Синтезируя оксиселенид меди Na 1,9 Cu 2 Se 2 Cu 2 O путем взаимодействия Na 2 Se 3,6 с Cu 2 O, они пришли к выводу, что новый тип оксихалькогенидов может быть синтезирован путем взаимодействия оксидов металлов с потоками полихалькогенидов.

Импульсные и стационарные методы ЯКР и ЯМР

Существует два способа регистрации ЯКР и ЯМР: непрерывный (стационарный, исторически первый) и импульсный, получивший наибольшее распространение начиная с 1970-х годов. В первом случае ядерная система подвергается непрерывному облучению слабым радиочастотным полем. Во втором действует сильный радиочастотный импульс, приводящий ядерную систему в неравновесное состояние, и наблюдается процесс перехода ядерных магнитных моментов в равновесное состояние. Оба метода эквивалентны, поскольку существует связь между формой производной спектральной линии и спадом свободной индукции -экспериментальными параметрами стационарной и импульсной методик . Однако ряд технических преимуществ все же стимулировал развитие импульсных методов . Все исследования методом ЯКР и ЯМР, изложенные в данной работе, были выполнены с применением импульсной методики. Измерения производились с помощью двух спектрометров: высокочастотного (частотный диапазон от 4 МГц до 100 МГц) и низкочастотного (частотный диапазон от 1.5 МГц до 10 МГц). Каждый из спектрометров представляет собой широкодиапазонный когерентный импульсный спектрометр-релаксометр с квадратурным детектированием, сопряженный и управляемый с ЭВМ типа IBM PC/AT, и предназначен для поиска сигналов ЯКР, проведения исследований спектров ЯКР/ЯМР, а также ядерной релаксации в твердых телах. Оба спектрометра реализованы согласно стандартной и широко распространенной блок-схеме, которая представлена на рис. 1.1. Основные характеристики узлов спектрометров указаны в табл. 1.2. Кратко опишем принцип работы спектрометров. На вход формирователя РЧ-импульсов поступают видеоимпульсы с генератора импульсных последовательностей и непрерывные колебания с выхода радиочастотного (РЧ) генератора.

Полученные РЧ-импульсы усиливаются и подаются на датчик ЯКР/ЯМР, создавая в образце высокочастотное магнитное поле. При выполнении резонансных условий это приводит к появлению спиновой намагниченности, которая наводит ЭДС в находящейся в датчике катушке с образцом. После окончания РЧ-импульса и «мертвого» времени предусилителя передатчика сигнал поступает в приемник. В приемнике сигнал усиливается и поступает на вход двух синхронных детекторов, опорные напряжения которых находятся в квадратуре. В свою очередь, опорные напряжения формируются в квадратурном фазовращателе из выходного сигнала РЧ генератора. Затем продетектированный сигнал усиливается по низкой частоте и подается на аналого-цифровой преобразователь (АЦП). Оцифровка сигнала синхронизирована с генератором импульсных последовательностей. В спектрометрах условно выделяются аналоговая и цифровая части. В последнюю часть входят программируемый генератор видеоимпульсов и блок АЦП, конструктивно выполненные в виде отдельных плат и соединенные с системной шиной компьютера IBM PC. Поскольку РЧ генератор и переменный конденсатор колебательного контура датчика ЯКР/ЯМР управляются независимо от компьютера IBM PC, поиск сигналов и измерения спектров производится в «ручном» режиме. Параметры ядерной релаксации исследовались в автоматическом режиме. Высокочастотный спектрометр разработан и изготовлен в лаборатории магнитной радиоспектроскопии (МРС) Казанского государственного университета А.В. Егоровым, О.Н. Бахаревым, А.В. Дуглавом. Детальное описание узлов спектрометра и их функционирование содержатся в —оригинальных работах .

Низкочастотный спектрометр собран на базе высокочастотного А.В. Дуглавым и И.Р. Мухамедшиным в лаборатории МРС. В данном спектрометре по сравнению с высокочастотным аналогом отличными являются конструкции датчика и предусилителя приемника. Оригинальное программное обеспечение, с помощью которого производится управление и контроль работы узлов обоих спектрометров, реализовано в программной среде Basic О.Н. Бахаревым. С точки зрения получения как можно более разнообразной информации о строении и свойствах исследуемых соединений важными представляются не столько сами параметры ЯКР/ЯМР, сколько их температурные зависимости. С этой целью для измерений спектров ЯКР и ядерной релаксации были применены две низкотемпературные вставки, сконструированные А.В. Дуглавом и И.Р. Мухамедшиным. Обе вставки изготовлены по одной схеме и оборудованы идентичными системами измерения и регулирования температуры.

Халькогениды высших дигидрогенов

Все халькогениды водорода с прямой цепью подчиняются формуле H 2 X n.

Более высокие полиоксиды водорода, чем H 2 O 2 не являются стабильными. Триоксидан с тремя атомами кислорода является временным нестабильным промежуточным продуктом в нескольких реакциях. Следующие два в серии кислорода, водорода осмия и водорода пятиокиси, также были синтезированы и признаны высокой реакционной способностью. Альтернативный структурный изомер триоксидана, в котором два атома водорода присоединены к центральному кислороду трехкислородной цепи, а не по одному на каждом конце, был исследован с помощью вычислений.

Помимо H 2 S и H 2 S 2, многие высшие полисульфаны H 2 S n ( n = 3–8) известны как стабильные соединения. Они имеют неразветвленные цепочки серы, что отражает склонность серы к образованию цепей. Начиная с H 2 S 2, все известные полисульфаны являются жидкостями при комнатной температуре. H 2 S 2 бесцветен, а остальные полисульфаны желтые; цвет становится богаче с увеличением n, как и плотность, вязкость и температура кипения. Таблица физических свойств приведена ниже.

Сложный Плотность при 20 ° C (г • см –3) Давление пара (мм рт. Ст.) Экстраполированная точка кипения (° C)
H 2 S 1,363 (г • дм −3) 1740 (кПа, 21 ° C) -60
H 2 S 2 1,334 87,7 70
H 2 S 3 1,491 1.4 170
H 2 S 4 1,582 0,035 240
H 2 S 5 1,644 0,0012 285
H 2 S 6 1,688 ? ?
H 2 S 7 1,721 ? ?
H 2 S 8 1,747 ? ?

Однако они легко окисляются, и все они термически нестабильны, легко диспропорционируют до серы и сероводорода, реакции, в которой щелочь действует как катализатор:

H 2 S n → H 2 S + п — 1/8С 8

Они также реагируют с сульфитом и цианидом с образованием тиосульфата и тиоцианата соответственно.

Альтернативный структурный изомер трисульфида, в котором два атома водорода присоединены к центральной сере цепи из трех серов, а не по одному на каждом конце, был исследован с помощью вычислений. Тиосерная кислота, разветвленный изомер тетрасульфида, в котором четвертая сера связана с центральной серой линейной трисульфидной структуры дигидрогена ((HS) 2 S + –S -), также была исследована с помощью вычислений. Тиосерная кислота, в которой два атома серы ответвляются от центра линейной структуры трисульфида дигидрата, также была изучена с помощью вычислений.

Могут существовать высшие гидриды полония.

Рекомендации

  1. ^ Greenwood, N. N .; И Эрншоу, А. (1997). Химия элементов (2-е изд.), Оксфорд: Баттерворт-Хайнеманн. ISBN  0-7506-3365-4.
  2. ^ Vaughan, D. J .; Крейг, Дж. Р. «Минеральная химия сульфидов металлов» Cambridge University Press, Кембридж: 1978. ISBN  0521214890.
  3. Franzen, H.F .; Beineke, T.A .; Конрад, Б. (1968). «Кристаллическая структура Nb21S8«. Acta Crystallographica B. 24: 412-p416.
  4. «Сульфидная минералогия: Том 1» Пол Х. Риббе, редактор, 1974, Минералогическое общество Америки. ISBN  0-939950-01-4
  5. Уэллс, А.Ф. (1984) Структурная неорганическая химия, Оксфорд: Clarendon Press. ISBN  0-19-855370-6.

Примечания и ссылки

  1. Фонзес-Диакон, Х. (1990) Синтезированный селенид и оксиселенид марганца , отчеты, представленные на еженедельных сессиях Академии наук , 130, 1025, 1025-6.
  2. Ефрем Ф. и Э. Майлер (1910), Селенофосфаты , Berichte der Deutschen Chemischen Gesellschaft , 43, 277–285.
  3. ↑ and Сон Д. Н. Луу и Пас Вакейро, Слоистые оксихалькогениды: структурная химия и термоэлектрические свойства , Journal of Materiomics , vol.  2 п о  2, стр.  131-140 ,июнь 2016.
  4. К. Баррето, Термоэлектрические керамические материалы для производства чистой электроэнергии , Другое, Парижский университет , 2013.
  5. Фу Цян Хуанг, Пол Бразис, Карл Р. Канневурф и Джеймс А. Иберс, Синтез, структура, электропроводность и зонная структура оксихалькогенида редкоземельной меди La 5 Cu 6 O 4 S 7 , Журнал химии твердого тела , 155, 366-371 (2000).
  6. L. Xie и HG Zhang, Магнитные свойства и эффект обменного смещения слоистых оксихалькогенидов марганца La 2 O 3 Mn 2 Se 2 , J. Appl. Phys. , 113, 204506 (2013).
  7. В. Пеле, К. Баррето, Д. Берардан и др. , Прямой синтез оксихалькогенидов типа BiCuChO методом механического легирования , Журнал химии твердого тела , 2013, т.  203, стр.  187-191 .
  8. ↑ и A KMF Ul Islam, MA Helal, MNH Liton, M Kamruzzaman и HMT Islam, Изучение первых принципов зависимых от электронной структуры оптических свойств оксихалькогенидов BiOCuCh (Ch 5 S, Se, Te) , J. Phys. , 2016.
  9. Суетин Д.В. и А.Л. Ивановский, Электронные, магнитные свойства и химическая связь в слоистых оксихалькогенидах Ca 4 Fe 2 Cu 2 S 2 O 6 и Ca 4 Fe 2 Cu 2 Se 2 O 6 из расчетов из первых принципов , Журнал химии твердого тела , 194100 –105 (2012).
  10. В. Хан, С. Азам, М. Бенали Канун и С. Гумри-Саид, Оптоэлектронная структура и связанные с ней транспортные свойства оксихалькогенидов на основе BiCuSeO: Первые основные расчеты , т.  58, август 2016, стр.  86-93 .

Similar Documents

Publication Publication Date Title

Isaenko et al.

2002

LiInSe 2: A biaxial ternary chalcogenide crystal for nonlinear optical applications in the midinfrared

Isaenko et al.

2006

Ternary chalcogenides LiBC2 (B= In, Ga; C= S, Se, Te) for mid-IR nonlinear optics

Furukawa et al.

2000

The correlation of MgO-doped near-stoichiometric LiNbO3 composition to the defect structure

Kumar et al.

2013

Recent advances in rare earth-based borate single crystals: Potential materials for nonlinear optical and laser applications

Shevchuk et al.

2011

Single crystal preparation and properties of the AgGaGeS4–AgGaGe3Se8 solid solution

Guo et al.

2014

Growth and characterizations of BaGa4S7 crystal

Wang et al.

2014

Modified Bridgman growth and properties of mid-infrared LiInSe2 crystal

Avanesov et al.

2014

Phase equilibrium studies in the PbTe–Ga2Te3 and PbTe–In2Te3 systems for growing new nonlinear optical crystals of PbGa6Te10 and PbIn6Te10 with transparency extending into the far-IR

Cheng et al.

2013

Synthesis and growth of ZnGeP2 crystals: Prevention of non-stoichiometry

Schunemann

2007

Crystal growth and properties of nonlinear optical materials

Yelisseyev et al.

2020

The optical properties of the nonlinear crystal BaGa4Se7

RU2699639C1
(ru)

2019-09-06 Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaxIn1-xTe2 и способ его получения

RU2344208C1
(ru)

2009-01-20 Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов

Ünlü et al.

2022

Defect assisted nonlinear absorption and optical limiting in amorphous TlGaS2 (1-x) Se2 (x)(0⩽ x⩽ 1) thin films

Wang et al.

2012

Growth, characterization and the fourth harmonic generation at 266 nm of K2Al2B2O7 crystals without UV absorptions and Na impurity

US20180202069A1
(en)

2018-07-19 Lead oxychloride, infrared nonlinear optical crystal, and preparation method thereof

Roth et al.

2010

Growth of large size high optical quality KTP-type crystals

Badikov et al.

2005

Optical parametric oscillator on an Hg1-xCdxGa2S4 crystal

JP3479111B2
(ja)

2003-12-15 電気光学品

RU2763463C1
(ru)

2021-12-29 Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения

Wu et al.

2014

Crystal growth and frequency conversion of BaMgF4 single crystal by temperature gradient technique

Singh et al.

2005

Periodically poled materials for long wavelength infrared (LWIR) NLO applications

Guo et al.

2018

Li7Cd4. 5Ge4Se16 and Li6. 4Cd4. 8Sn4Se16: Strong Nonlinear Optical Response in Quaternary Diamond‐Like Selenide Networks

Myronchuk et al.

2017

Optical absorption, piezoelectric effect and second harmonic generation studies of single crystal AgGaGe 3 Se 7.6 Te 0.4 solid solution

RU2255151C2
(ru)

2005-06-27 Тройной халькогенидный монокристалл для преобразования лазерного излучения и способ его выращивания

ВЫВОДЫ

Впервые экспериментально обнаружены и исследованы спектры ЯКР 63, Cu в природных образцах халькогенидов группы теннантита Cu124S ( Q = 21.81 МГц при Т = 77 К). Установлено, что спектры принадлежат ядрам меди, локализованным в тригональных комплексах лавесовских полиэдров Cu6S13 структуры. Проведены подробные исследования температурных зависимостей частоты ЯКР и ширины линии ЯКР меди, скоростей ядерной спин-решеточной релаксации меди и ядерной поперечной релаксации в диапазоне температур 4.2-210 К. Температурный ход частоты ЯКР и ширины линии четко демонстрируют фазовый переход при TPT = 65 К.

Релаксационные параметры свидетельствуют о существовании в электронной структуре флуктуирующих полей, обусловленных внутренними движениями с энергией активации EACT = 65 K. Предложена модель, согласно которой флуктуации обусловлены неоднородным распределением электронной плотности в кластерах Cu6S13. Основный аспект при этом рассмотрении заключается в том, что при высоких температурах (Т > 65 К) электронные дырки, определяющие парамагнетизм двухвалентной меди, относительно равномерно распределены в пределах кластера и мигрируют по всем шести эквивалентным позициям меди. При понижении температуры (Т

По материалам данной главы опубликованы работы .

Халькогениды со структурой ковеллина:

Экспериментально обнаружены и исследованы спектры ЯКР 63,65Cu в природном и искусственном образцах бинарного халькогенида CuS (ковеллина), при этом низкочастотные сигналы ЯКР были найдены впервые (63Q = 1.87 МГц при Т = 4.2 К). Достоверно установлено, что высокочастотные спектры принадлежат ядрам меди, локализованной в тригональных комплексах Cu(1)S3, а низкочастотные спектры соответствуют меди, расположенной в тетраэдрических комплексах Cu(2)S4. Наблюдение сигналов ЯКР 63,65Cu(2) при T

Впервые изучены температурные зависимости ширины линии ЯКР меди Cu(1) в диапазоне 1.5-300 К и ядерной спин-решеточной релаксации меди Cu(2) в диапазоне 4.2-30 К. Температурный ход частоты ЯКР, ширины линии и спинрешеточной релаксации меди Cu(1) демонстрируют существование структурного фазового перехода при TPT = 55 К. Исходя из данных по спинрешеточной релаксации и магнитному сдвигу обоих ядер Cu(1) и Cu(2), показано, что ковеллин CuS не может рассматриваться как металл в «простом»

приближении, при котором волновая функция, описывающая состояние системы, имеет ярко выраженный s-характер; его зонная структура сложна и характеризуется наличием как минимум двух зон s- и d-типа.

Экспериментально установлено, что при температурах T

По материалам данной главы опубликованы статьи .

Ультрадисперсные частицы биоминералов бинарных халькогенидов:

Методом ЯКР впервые исследованы образцы фоссилизированной древесины, содержащие ультрадисперсные частицы некоторых бинарных халькогенидов меди системы Cu1+xS (0x1).

Экспериментально подтверждено наличие в изученных образцах стехиометрического сульфида Cu1.00S (ковеллина). Выявлено значительное уширение линий спектра ЯКР данного соединения по сравнению с ширинами линий ЯКР эталонных образцов. Для объяснения этого эффекта предложена модель, согласно которой подобное уширение обусловлено размерами частиц ковеллина, т.е. является характерным признаком дисперсного состояния данного сульфида.

Экспериментальное обнаружение ковеллина Cu1.00S в образцах фоссилизированной древесины из месторождений Волго-Уральского региона подтверждает теоретическую модель о микробактериальном механизме сульфидной минерализации. Согласно этой теории бактериальная сульфатредукция в органических остатках первоначально приводила к образованию множества ультрадисперсных (в том числе, наноразмерных) частиц

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Зона исследователя
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: